浙江石英玻璃硅片钻孔微孔加工

联系人:张经理 硅片激光切割设备的特点： ·高配置：采用进口光纤激光器，光束质量更好（标准基模）、切缝更细（30μm）、边缘更平整光滑。 ·免维护：整机采用国际标准模块化设计，真正免维护、不间断连续运行、无消耗性易损件更换。 ·操作方便：设备集成风冷设置，设备体积更小，操作更简单。 ·专用控制软件：专为激光划片机而设计的控制软件，操作简单，能实时显示划片路径。 ·工作效率高：T型台双工位交替运行，提高工作效率。 硅片的分类： 硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；单晶生长方法：单晶硅片、多晶硅片；掺杂类型：N型、P型等参量和用途来划分种类。 传统机械加工硅片的劣势： 传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势； 激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化，形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小， 低限度的炭化影响。 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂 半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割，氮化镓,铜铟镓硒， ,等多种基材的精细切割钻孔，蚀刻，微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体，各种透光材质都可做，价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm 小孔径0.05mm 大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm